Auch Samsung hat bereits mit dem Sampling der eigenen DDR5 Arbeitsspeicher begonnen. Der Hersteller spricht dabei von einer Geschwindigkeit von bis zu 7200 MT/s und einer Kapazität von 512 GB pro Modul.
Die Plattformen mit einem Support von DDR5 stehen zwar noch aus, aber damit man direkt am Start diese auch bedienen kann, sind die RAM-Hersteller bereits im vollen Gange. Das trifft auch auf Samsung zu, die bereits mit dem Sampling der DDR5 Speichermodule begonnen hat. Hier gibt es gleich mehrere interessante Fakten. So spricht der Hersteller davon, dass man Geschwindigkeiten von 7200 MT/s abliefern will. Zwar hat SK Hynix bereits von 8400 MT/s gesprochen, gesehen hat man davon allerdings noch nichts. Vor kurzem konnte man allerdings bereits Intel Alder Lake-S im Zusammenspiel mit DDR5 RAM mit 4800 MT/s sehen. Genau diese Geschwindigkeit will der Hersteller auch zum Start, vermutlich im dritten Quartal 2021, anbieten. Insgesamt spricht man trotz der höheren Geschwindigkeit gegenüber DDR4 von einer Energie-Einsparung von 13 %.
Noch viel interessanter ist aber die Kapazität, von der der Hersteller pro Modul spricht. Wie beim GDDR6 Speicher kommt die High-k+Metal-Gate-Technik zum (HKMG) Einsatz. Diese verhindert Leckströme und stellt laut eigener Aussage ein Novum dar. Zudem stapelt man acht Chips, verbindet sie mittels TSV und bündelt sie in einem Paket. Von diesen Paketen mit je 16 Gbit bzw. 2 GByte können anscheinend 32 Stück eingesetzt werden, sodass man insgesamt bis zu 512 GB pro Modul anbieten kann. Auf den Bildern erkennt man sogar 40 solcher Pakete, allerdings dürften die überschüssigen als Puffer zur Fehlerkorrektur dienen. Zum Einsatz kommen dürften diese Module vor allem in Servern. Ob sie auch beim Endkunden landen bzw. mit den Mainstream-Plattformen kompatibel sein werden, bleibt abzuwarten.
Quelle: Samsung
